| 1. | These included gallium arsenide (GaAs) and aluminum gallium arsenide (AlGaAs) depositions.
Ces couches incluent des dépôts d'arséniure de gallium (GaAs) et d'arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs). |
| 2. | These included gallium arsenide (GaAs) and aluminum gallium arsenide (AlGaAs) depositions.
Ces couches incluent des dépôts d'arséniure de gallium (GaAs) et d'arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs). |
| 3. | MMICs were originally fabricated using gallium arsenide (GaAs), a III-V compound semiconductor.
À l'origine les MMIC étaient fabriqués avec de l'arséniure de gallium (GaAs), un semi-conducteur extrinsèque. |
| 4. | InP is also used as a substrate for epitaxial indium gallium arsenide based opto-electronic devices.
InP est aussi utilisé comme substrat pour la croissance par épitaxie de composés optoélectroniques à base d'arséniure d'indium-gallium (InGaAs). |
| 5. | The APG-79 AESA uses transmit/receive (TR) modules populated with Gallium arsenide Monolithic microwave integrated circuits.
L'APG-79 AESA utilise des cartes pour l'émission et la réception équipées de circuits intégrés monolithiques hyperfréquences (MMIC) à GaAs. |
| 6. | The company manufactures wafers of gallium arsenide (GaAs) and gallium nitride (GaN) for developing and manufacturing compound semiconductor systems.
L’entreprise fabrique des plaques d’arséniure de gallium (GaAs) et de nitrure de gallium (GaN) destinées au développement et à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs composés. |
| 7. | Most integer quantum Hall experiments are now performed on gallium arsenide heterostructures, although many other semiconductor materials can be used.
La plupart des expériences sur l'effet Hall quantique entier sont maintenant faites sur des structures d'arséniure de gallium bien que beaucoup d'autres matériaux semi-conducteurs peuvent être utilisés. |
| 8. | For degenerate or nearly degenerate bands, in particular the valence bands in certain materials such as gallium arsenide, the equations can be analyzed by the methods of degenerate perturbation theory.
Dans le cas de bandes dégénérée ou quasi-dégénérée, en particulier la bande de valence de la plupart des semi-conducteurs, les équations peuvent être analysées par les méthodes de la théorie de perturbation dégénérée,. |
| 9. | InP is used in high-power and high-frequency electronics because of its superior electron velocity with respect to the more common semiconductors silicon and gallium arsenide.
Le phosphure d'indium est utilisé dans les applications électroniques à haute fréquence et à haute puissance, à cause de sa plus grande mobilité électronique comparée à celles des semi-conducteurs plus communs, comme le silicium et l'arséniure de gallium. |
| 10. | Examples of compounds with this structure include zincblende itself, lead(II) nitrate, many compound semiconductors (such as gallium arsenide and cadmium telluride), and a wide array of other binary compounds.
Des exemples de composés ayant cette structure incluent la blende elle-même, le nitrate de plomb(II), de nombreux composés semi-conducteurs (tels que l'arséniure de gallium et le tellurure de cadmium), ainsi qu'une large gamme de composés binaires. |
